型号：AT650P/850P(等离子体增强型）      AT650T/850T（热型）

AT650T/850T可在用户现场升级为AT650P/850P

技术参数：

·小型桌面等离子体型 

·基体温度高达400℃ 

·具有空心阴极源 更快生长速率 | 更高电子密度 | 更低等离子体损伤 | 更少氧气污染 

·配置高频率射频的空心等离子体 

·以热型ALD成本提供经济实惠的等离子体系统 

·3种有机金属源(可加热至185℃),1个常温源(可升级至185℃)和最多4种氧化剂/还原剂源

·耐高温的快速脉冲ALD阀门，配备超快MFC进行集成惰性气体吹扫-标配 

·高达6英寸或8英寸的基板，并可提供定制卡盘/底座 

·静态反应模式下可实现高覆盖

选项：

·定制卡盘/底座 

·QCM(石英晶体微天平) 

·为您的瓶子设计起泡器 

·负载锁(或手套箱接口) 

·共反应物线(MFC控制)(最多可增加2条) 

·额外升级前驱体加热管线至185℃,共4条

·咨询可定制系统