大尺寸台式热原子层沉积系统 ALD

欢迎光临盈思拓科技网站，服务热线：18600717106 / 17710506869

产品搜索

大尺寸台式热原子层沉积系统 ALD

发布时间: 2025-06-25 11:03

安瑞克(ANRIC)技术公司开发的原子层沉积(ALD)是一种气相薄膜沉积技术，以其出色的匹配性、均匀性以及亚纳米级的厚度控制而著称。其基本原理基于自限性表面反应，即依次将前驱体引入到基底上，每次循环形成一层原子级薄膜。这种精确的控制使得能够沉积出无缺陷且可重复的超薄薄膜，从光滑表面到复杂的三维结构(如沟槽、多孔材料、纤维、膜和纳米管)都能实现。

商品信息

热原子层沉积技术，面积可达 37 平方厘米

大尺寸台式热原子层沉积系统

· 37 平方厘米边的面板用铝制腔体(Gen2型)

· 适用于8片六英寸晶圆或4片八英寸晶圆，且具有很好的均匀性(其他晶圆尺寸可以定制)

· 加热式4端口前体管路(可定制)

· 采用内置高功率线圈加热器进行腔室加热，最高温度可达275°C

· 集直接控制与远程笔记本控制功能于一体的 PLC/人机界面系统

· 具有MFC集成腔室关闭阀的快速响应情性气体吹扫流量控制装置，适用于高暴露(静态)生长模式选项

· 所有为符合半导体S2标准和NFPA-79准则要求而进行的硬件及软件方面的更新

· 符合半导体S2标准

· 额外的缓慢降泵选项

· 可选的前驱体温度检测，具有实时反馈和脉冲持续时间控制功能

· 可选的可燃气体罐重量追踪功能，搭配内置液晶显示屏使用

ALD 设备的工作原理

原子层沉积(ALD)系统由几个核心组件构成:前驱体源及其反应物阀门、带有温度控制平台(或夹具)的反应腔、惰性气体以及真空系统(或吹扫系统)。该过程会交替进行前驱体和反应物的引入，每次只引入一种，其间会有一个吹扫步骤。这样可以防止前驱体在气相中发生反应，从而确保仅进行表面特定的反应。其结果是每个循环中形成一层单分子沉积，从而在原子尺度上实现了对薄膜生长的控制。该反应具有自限性，这意味着一旦前驱体与表面发生反应并填充了可用的活性位点(对于氧化物、羟基等)，反应就无法再继续进行。

安瑞克技术公司开发的台式原子层沉积系统操作简便、易于维护，具备优良的散热管理功能、可定制的等离子体源以及软件驱动的自动化功能，能够支持热增强型和等离子体增强型原子层沉积工艺。这些工具具有可扩展性--从与手套箱兼容的实验台设备到完整的 12英寸晶圆系统--并且经过精心设计，以实现最高的工艺稳定性、易用性，并能融入各种实验室环境。

应用领域

安瑞克技术公司ALD 技术是下一代半导体、储能设备、光电子器件以及生物相容性材料发展的重要基础。其能够对纳米结构进行均匀覆盖的特性使其在以下领域中至关重要:

· 用于栅极介电层和阻挡层的微电子学及微机电系统技术

· 用于电极和电解质涂层的固态电池和超级电容器

· 光栅、透镜和光子结构上的光学涂层

· 催化作用与燃料电池的开发，其中原子层沉积技术能够实现可控的表面改性

· 需要具有耐腐蚀性且生物惰性的薄膜的生物医学设备

· 易降解材料的表面钝化与封装处理

随着该行业朝着更小、更快、更高效的设备方向发展，原子层沉积技术的重要性也与日俱增。

客户案例

全球100多家用户，多家重复购买的用户：

♢ 哈佛大学