德国SciDre公司推出的高温高压光学浮区法单晶炉能够提供2200–3000℃以上的生长温度，晶体生长腔压力可达300bar，甚至10-5mbar的高真空。适用于生长各种超导材料单晶，介电和磁性材料单晶，氧化物及金属间化合物单晶等。

┃ 设备技术参数

• 采用垂直式光路设计

• 采用高照度短弧氙灯，多种功率规格可选

• 熔区温度：>3000℃

• 熔区压力：10bar/50bar/100bar/150bar/300bar等多种规格可选

• 氧气/氩气/氮气/空气/混合气等多种气路可选

• 采用光栅控制技术，加热功率从0-100% 连续可调

• 样品腔可实现低至10-5mbar真空环境

• 丰富的可升选件