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高真空双靶磁控溅射镀膜仪
    发布时间: 2026-01-28 14:25    

单靶溅射、双靶共溅、交替溅射

高真空双靶磁控溅射镀膜仪
INS-H12MC

▶单靶溅射、双靶共溅、交替溅射

▶一键镀膜,全自动操作可编程自定义多层膜制备参


▶多功能样品台支持旋转、升降及倾斜功能


▶一体成型真空室更优真空性能

▶配备防污染系统有效保护镀膜组件

▶进口分子泵极限真空优于5×10-3Pa


主要参数

外形尺寸

278(L)×494(H)×467(D) mm

溅射靶头

双磁控溅射靶头

靶材尺寸

Φ50mm,厚度支持0.1-2mm

可用靶材

所有金属、导电材料等

工作电流

1-200mA可调(步长:1mA)

镀膜时间

1-9999s可调(步长:1s)

真空泵

旋片泵(可选干泵)+分子泵

主真空泵抽速

90L/s

真空室

170(L)×150(H)×163.5(D) mm

一体加工金属腔室

极限真空

≤5×10-3Pa

工作介质

氩气

工作真空

0.5-1Pa可调

供电

AC220V/50Hz

额定功率

<800W

预溅射

全自动预溅射系统,防止样品污染及组件污染、提高镀膜纯度

样品台

Φ80mm,支持旋转、升降及倾斜功能

其它

真空度、工作电流可实时曲线显示