型号：AT650P（等离子体增强）/  AT650T（热型）

AT650T可在用户现场升级为AT650P

技术参数：

l  高达400°C

l  具有高频率射频的空心阴极

l  金属密封线降低了大气污染的风险

l  前体加热至185°C（带选择性增压）

l  4前体和多达4个有选项的共反应物

l  可选:手套箱界面或加载锁定

l  高达6英寸或更高的基板

l  静态处理模式下可实现高曝光

选项：

l  定制卡盘/镀层

l  QCM(石英晶体微天平)

l  为您的瓶子设计气泡器

l  负载锁(或手套箱接口)

l  共反应器线(MFC控制)(最多可增加2条)

l  额外加热前体管线至185摄氏度，共4条。定制系统-请咨询我们