Anric Technologies成立于2014年，由哈佛大学ALD工艺著名专家Roy Gordon教授组的研究人员创立，旨在填补市场小型台式原子层沉积(ALD设备)的空白，是为大学、初创企业、探索原子层沉积(ALD)技术的公司、启动试点生产线以及专业制造商提供设计和优化的工具。

公司专注于ALD工艺和设备的研究，其核心技术成员都来自哈佛大学，他们在ALD工艺上积累了丰富的经验，可以为客户提供复杂的工艺定制化解决方案，是小样品和低预算用户的首选。

原子层沉积是一种特殊的化学气相沉积技术，是通过将气相前驱体交替地通入反应室并在沉积基体表面发生气 -固化学反应形成薄膜的一种方法。ALD 通常是A、B 的半反应序列组成，具有表面自限性的特点，有着优异的三维共形性、大面积的均匀性、亚单层的膜厚控制和低的生长温度等。

ALD 生长原理是通过反应前驱体交替沉积，在基材表面逐层沉积薄膜。

一个原子层沉积周期可分为四个步骤:

1.通入第一种前驱体:将第一种前驱体脉冲进入反应室，使其与基体表面发生化学吸附反应;

2.惰性气体清洗:使用惰性气体(如氮气或气)对反应室进行清洗，去除未反应的第一种前驱体和反应产生的副产物;

3.通入第二种前驱体:将第二种前驱体脉冲进入反应室，使其与吸附在基体表面的第一种前驱体发生化学反应生成薄膜;

4.再次惰性气体清洗:再次用惰性气体清除未反应的第二种前驱体及副产物。

            市面上体积最小的ALD

            小到可以放到手套箱的ALD

            可做粉末的ALD